1.3.1 层信息设置
所有电路元件均构建在相对介电常数为12.85，损耗角正切为0.006，厚度为200μm的砷化镓（GaAs）衬底上；两层5μm厚铜层和中间一层0.2μm厚的氮化硅（Si3N4）层用来构建金属-绝缘体-金属（Metal-Insulator-Metal，MIM）电容。
绘制版图前，需要根据所采用的TFIPD工艺在版图中进行层信息设置。
1. 新建版图
返回“Balanced_Bandpass_Filter_wrk”工作空间主界面，执行菜单命令【File】→【New】→【Layout…】，打开如图1.49所示的新建版图对话框，将单元（Cell）名称修改为“MIM capacitor”，单击【Create Layout】按钮，弹出版图精度设置对话框，如图1.50所示。在此选择“Standard ADS Layers, 0.001 micron layout resolution”，即精度为0.001μm（注意：本章中此类单位统一为μm），单击【Finish】按钮，弹出版图绘制窗口，如图1.51所示。
图1.49 新建版图对话框
图1.50 版图精度设置对话框
图1.51 版图绘制窗口
说明
下述方法均可实现新建版图的操作：
☺ 执行菜单命令【File】→【New】→【Layout…】；
☺ 单击工具栏中的【New Layout Window】图标
。
后文中涉及新建版图的操作时，采用上述方法之一即可。
2. 新建板材并添加介质和导体
（1）新建板材。在版图绘制窗口，执行菜单命令【EM】→【Substrate…】，在弹出的信息提示对话框中单击【OK】按钮，弹出如图1.52所示的新建衬底对话框，在此可以对名称（File name）和层信息设置模板（Template）进行相应修改。
图1.52 新建衬底对话框
说明
下述方法均可实现新建衬底的操作：
☺ 执行菜单命令【EM】→【Substrate…】；
☺ 单击工具栏中的【Substrate Editor】图标
。
后文中涉及新建衬底的操作时，采用上述方法之一即可。
此处文件名称保持默认。因本次TFIPD技术采用砷化镓（GaAs）衬底，所以在【Template】栏中选择【100umGaAs】，单击【Create Substrate】按钮，弹出层信息设置窗口。执行菜单命令【View】→【View All】，此时的层信息设置窗口如图1.53所示。
图1.53 层信息设置窗口
说明
下述方法均可实现在层信息设置窗口中显示全部信息的操作：
☺ 执行菜单命令【View】→【View All】；
☺ 单击工具栏中的【View All】图标
；
☺ 按快捷键“F”。
后文中涉及在层信息设置窗口中显示全部信息的操作时，采用上述方法之一即可。
（2）添加导体。在层信息设置窗口执行菜单命令【Technology】→【Material Definitions…】，打开如图1.54所示的材料定义窗口，选择【Conductors】选项卡，按照图1.55所示定义相关导体，具体做法为：单击图1.55中右下角的【Add From Database…】按钮，若在弹出的从数据库中添加材料窗口（见图1.56）中存在要添加的导体，则选中此导体，单击【OK】按钮，完成添加；若没有要添加的导体，则单击【Add Conductor】按钮，添加一个导体后，修改其相关信息；此外，对于不需要的导体，可单击图1.55中右下角的【Remove Conductor】按钮将其移除；全部完成后，单击【Apply】按钮。
图1.54 材料定义窗口
图1.55 导体定义完成
图1.56 从数据库中添加材料窗口（一）
（3）添加介质。选择【Dielectrics】选项卡，按照图1.57所示添加和修改相关介质，具体做法为：单击图1.57中右下角的【Add From Database…】按钮，若在弹出的从数据库中添加材料窗口（见图1.58）中存在要添加的介质，则选中此介质，单击【OK】按钮，完成添加；若没有要添加的介质，则单击【Add Dielectric】按钮，添加一个介质后，修改其相关信息；此外，对于不需要的介质，可单击图1.57中右下角的【Remove Dielectric】按钮将其移除；全部完成后，单击【OK】按钮，关闭材料定义窗口。
图1.57 介质定义完成
图1.58 从数据库中添加材料窗口（二）
3. 设置层信息
（1）选中cond层，单击鼠标右键，在弹出的菜单中选择【Unmap】，删除该层导体（或者选中cond层，按“Delete”键删除该层导体）；用同样的方法删除cond2层。
（2）设置介质层。选中已存在的介质层，单击鼠标右键，在弹出的菜单中选择【Insert Substrate Layer】，即可插入一个新介质层；选中要修改的介质层，可在窗口右侧的【Substrate Layer】栏中修改其相关信息。
说明
下述方法均可实现插入介质层的操作：
☺ 选中已存在的介质层，单击鼠标右键，在弹出菜单中选择【Insert Substrate Layer】；
☺ 选中已存在的介质层表面，单击鼠标右键，在弹出菜单中选择【Insert Substrate Layer Above】或【Insert Substrate Layer Below】。
后文中涉及插入介质层的操作时，采用上述方法之一即可。
（3）设置导体层。选中要插入导体层的介质层的表面，单击鼠标右键，在弹出的菜单中选择【Map Conductor Layer】，即可插入一个新导体层；选中要修改的导体层，可在窗口右侧的【Conductor Layer】栏中修改其相关信息。
（4）设置通孔。选中要插入通孔的介质层，单击鼠标右键，在弹出的菜单中选择【Map Conductor Via】，即可插入一个通孔；选中要修改的通孔，可在窗口右侧的【Conductor Via】栏中修改其相关信息。
（5）层信息设置如图1.59所示。其中：底层为Cover；GaAs层的【Thickness】为200μm；第1层SiNx层的【Thickness】为0.1μm；bond层的【Process Role】选择“Conductor”，【Material】选择“Copper”，【Operation】选择“Expand the substrate”，【Position】选择“Above interface”，【Thickness】为5μm；第2层SiNx层的【Thickness】为0.2μm；text层的【Process Role】选择“Conductor”，【Material】选择“Copper”，【Operation】选择“Expand the substrate”，【Position】选择“Above interface”，【Thickness】为0.5μm；Air_Bridge层的【Thickness】为3μm；leads层的【Process Role】选择“Conductor”，【Material】选择“Copper”，【Operation】选择“Intrude the substrate”，【Position】选择“Above interface”，【Thickness】为5μm；顶层为开放的FreeSpace层；symbol层的【Process Role】选择“Conductor Via”，【Material】选择“Copper”；packages层的【Process Role】选择“Conductor Via”，【Material】选择“Copper”。
图1.59 层信息设置
（6）此外，还可以通过菜单命令【Technology】→【Layer Definitions…】打开【Layer Definitions】窗口，修改各层显示的颜色、样式等，如图1.60所示。此处均保持默认设置。
图1.60 修改各层显示的颜色和样式