1.2.3 通用高性能CW32F系列简介

通用高性能CW32F系列产品主要包括CW32F030/003/020/002等4个系列，均是基于ARM Cortex-M0+内核的32位工业级微处理器。

本系列产品已全面实现−40～105℃超宽温度范围和1.65～5.5V超宽工作电压范围，面向广泛的各种基础应用。

一、CW32F系列主要功能

通用高性能CW32F系列MCU具有以下功能及优势。

● 超宽工作电压：1.65～5.5V。超宽工作温度：−40～105℃。

● 采用Prefetch+Cache架构，同频算力功耗比（CoreMark/mA）超越同类产品。

● 12位模数转换器（Analog to Digital Converter，ADC），可达到±1.0LSB INL（非线性积分）、11.3ENOB（有效位数）。

● 采用稳定可靠的eFLASH（嵌入式闪存）工艺，支持工业级高可靠应用。

● HBM ESD 8kV，全部ESD可靠性达到国际标准最高等级。其中，HBM指人体放电模型（Human Body Model）；ESD指静电释放（Electro-Static Discharge）。

图1-4所示为CW32F003系列产品的主要功能，图1-5所示为CW32F030系列产品的主要功能。

图1-4

图1-5

二、CW32F系列主要封装形式

CW32F030系列产品可提供LQFP48、LQFP32、TSSOP20、QFN32和QFN20等多种封装形式，如图1-6所示。

图1-6

与此同时，同内核低成本版本的CW32F003系列也推出了TSSOP24、TSSOP20和QFN20等多种封装形式，如图1-7所示。

图1-7

三、CW32F系列性能优势

CW32F系列芯片借助后发优势，充分结合市面上各品牌同类产品的实际应用需求，做了多项重要改良，在对通用需求保持广泛支持的同时，深入解决了多项技术痛点问题，使得新产品更易于替换，并提升了如下多项关键性能指标。

（1）得益于专门设计的内置Capless LDO，本款产品在满足1.65～5.5V的超宽工作电压范围的同时，无须单独外接供内部LDO（Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器）使用的电容器。

（2）集成了指令Prefetch和Cache，在内核频率64MHz的状态下相较竞品MCU性能总得分提升30%以上。

（3）使用成熟的ULL（Ultra-Low Leakage，超低漏电）工艺，以及创新的设计方法，使得算力功耗比（CoreMark/mA）达到19.18，性能较市场通用产品大幅提升。

（4）使用创新的补偿电路，实现多项内部时钟振荡器全温度、全电压范围精度误差不超±2.0%。

（5）通过创新的软硬件过采样算法，实现较高的ADC测量精度，相较竞品增加约1位有效值。

（6）增强芯片内部端口设计，实现ESD性能和LatchUp等性能大幅提升至国际标准JEDEC JS-001-2017、JEDEC STANDARD NO.78E NOVEMBER 2016、JEDEC EIA/JESD22-A115C、JEDEC EIA/JESD22-C101F的最高等级。

（7）增加多级程序加密安全防护，妥善保护客户知识产权。

（8）为保证客户顺利完成开发，同时发布了相关的技术支持网站、数据表和用户手册、各种封装的配套评估板、调试工具、批量离线烧录工具以及配套软件库和例程。

（9）作为标准的Cortex-M0+产品，当然也可以使用市场流行的Keil微控制器开发工具包（Microcontroller Development Kit，MDK）或IAR Embedded Workbench等开发环境和软硬件工具，大部分使用过类似产品的工程师都能够便捷地实现快速替换和测试验证。

四、CW32F系列开发工具及评估板

主流开发设计工具和编程器厂家已实现对CW32F系列的支持。同时还有配套的官方评估板，用于CW32F系列MCU的评估。图1-8所示为CW32F003系列评估板，图1-9所示为CW32F030系列评估板。

图1-8

图1-9